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參數資料
| 型號： | ULQ2004 |
| 英文描述： | HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
| 中文描述： | 八達林頓陣列 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 189K |
| 代理商： | ULQ2004 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ULQ2004A-Q1 | N-CHANNEL 200V - 0.150 Ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET |
| ULQ2004R | TURBOSWITCH - ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE |
| ULQ2013A | TURBOSWITCH - ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE |
| UM62L256-10LL | 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28 |
| UM62L256-10L | 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| ULQ2004A | 功能描述:達林頓晶體管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| ULQ2004A | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DARLINGTON ARRAY 2803 DIP18 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DARLINGTON ARRAY, 2803, DIP18 |
| ULQ2004AD | 功能描述:達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| ULQ2004ADG4 | 功能描述:達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| ULQ2004ADR | 功能描述:達林頓晶體管 Hi V & A Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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