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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPA2707TP-E2-AZ |
| 廠(chǎng)商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 中文描述： | 開(kāi)關(guān)N溝道功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/7頁(yè) |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | UPA2707TP-E2-AZ |
Data Sheet G17032EJ1V0DS
3
μ
PA2707GR
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C)
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
T
A
- Ambient Temperature -
C
d
00
40
20
60
100
140
80
120
160
120
100
80
60
40
20
D
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
I
D(DC)
1 ms
10 s
100 ms
T
A
= 25°C
Single pulse
Mounted on glass epoxy board of
1 inch x 1 inch x 0.8 mm
I
D(pulse)
10 ms
R
DSon
Lmted
(a V
GS
=10V
Powe DsspaionLmted
PW=100
μ
s
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
t
°
C
0.01
100
μ
0.1
1
10
100
1000
R
th(ch-A)
= 114oC/W
Single pulse
Mounted on galass epoxy board of 1 inch x 1 inch x 0.8 mm, T
A
= 25 oC
PW - Pulse Width - s
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
D
0
20
40
60
80
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
V
GS
= 10 V
Pulsed
4.5 V
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
D
0.01
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
5
Pulsed
V
DS
= 10 V
T
ch
=
55°C
25°C
75°C
150°C
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA2707GR | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2707TP | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA603 | P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS |
| UPA603T | P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS |
| UPC2711T | 3 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA2708GR | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2708GR-E1 | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2708GR-E1-A | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2708GR-E2 | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2708GR-E2-A | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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