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參數資料
型號: UPA603
廠商: NEC Corp.
英文描述: P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS
中文描述: P溝道MOS場效應管6引腳2電路
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 63K
代理商: UPA603
1996
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
μ
PA603T
The
μ
PA603T is a mini-mold device provided with two
MOS FET circuits. It achieves high-density mounting and
saves mounting costs.
FEATURES
Two MOS FET circuits in package the same size as
SC-59
Complement to
μ
PA602T
Automatic mounting supported
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Drain to Source Voltage
V
DSS
–50
V
Gate to Source Voltage
V
GSS
+16
V
Drain Current (DC)
I
D(DC)
–100
mA
Drain Current (pulse)
I
D(pulse)
*
–200
mA
Total Power Dissipation
P
T
300 (Total)
mW
Channel Temperature
T
ch
150
C
Storage Temperature
T
stg
–55 to +150
C
*
PW
10 ms, Dury Cycle
50 %
Document No. G11250EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published June 1996 P
Printed in Japan
PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters)
0.32
+0.1
1
2
0.95
0.95
1.9
2.9 ±0.2
0.16
+0.1
0.8
1.1 to 1.4
0 to 0.1
0
+
PIN CONNECTION (Top view)
P-CHANNEL MOS FET (6-PIN 2 CIRCUITS)
相關PDF資料
PDF描述
UPA603T P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS
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