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參數資料
| 型號： | UPA603 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS |
| 中文描述： | P溝道MOS場效應管6引腳2電路 |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | UPA603 |
μ
PA603T
5
REFERENCE
Document Name
Document No.
NEC semiconductor device reliability/quality control system
TEI-1202
Quality grade on NEC semiconductor devices
IEI-1209
Semiconductor device mounting technology manual
C10535E
Guide to quality assurance for semiconductor devices
MEI-1202
Semiconductor selection guide
X10679E
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA603T | P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS |
| UPC2711T | 3 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER |
| UPC2711T-E3 | 3 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER |
| UPC2708T | 3 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER |
| UPC2708T-E3 | 3 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| UPA603T | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS |
| UPA603T-T1-A | 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:- 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:3A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UPA603T-T2-A | 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:- 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:3A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UPA604T(T1-A) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| UPA606T | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING |
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