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參數資料
| 型號： | UPA2707TP |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 中文描述： | 開關N溝道功率MOSFET |
| 文件頁數： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | UPA2707TP |
Data Sheet G17032EJ1V0DS
4
μ
PA2707GR
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
G
0
1
2
3
-50
0
50
100
150
V
DS
= 10 V
Pulsed
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
f
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
= 10 V
Pulsed
T
ch
=
55°C
25°C
75°C
150°C
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
5
10
15
0.1
1
10
100
10 V
Pulsed
V
GS
= 4.5 V
I
D
- Drain Current - A
R
D
0
5
10
15
0
5
10
15
20
I
D
= 10 A
Pulsed
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 10 A
Pulsed
10 V
T
ch
- Channel Temperature - °C
i
,
o
,
r
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA603 | P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS |
| UPA603T | P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS |
| UPC2711T | 3 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER |
| UPC2711T-E3 | 3 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER |
| UPC2708T | 3 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| UPA2707TP-E2-AZ | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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