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參數資料
| 型號： | UPA607 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING |
| 中文描述： | P溝道MOS場效應管6引腳2體電路開關 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | UPA607 |
1996
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
μ
PA607T
The
μ
PA607T is a mini-mold device provided with two
MOS FET elements. It achieves high-density mounting
and saves mounting costs.
FEATURES
Two MOS FET elements in package the same size as
SC-59
Complement to
μ
PA606T
Automatic mounting supported
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Drain to Source Voltage
V
DSS
–50
V
Gate to Source Voltage
V
GSS
+16
V
Drain Current (DC)
I
D(DC)
–100
mA
Drain Current (pulse)
I
D(pulse)
*
–200
mA
Total Power Dissipation
P
T
300 (Total)
mW
Channel Temperature
T
ch
150
C
Storage Temperature
T
stg
–55 to +150
C
*
PW
≤
10 ms, Duty Cycle
≤
50 %
Document No. G11254EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published June 1996 P
Printed in Japan
PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters)
0
+
–
0.32
+0.1
0.16
+0.1
2
1
0.95
1.9
0.8
2.9 ±0.2
1.1 to 1.4
0 to 0.1
0.95
PIN CONNECTION
6
5
4
1
2
3
1. Source 1
2. Gate 1
3. Drain 2
4. Source 2
5. Gate 2
6. Drain 1
P-CHANNEL MOS FET (6-PIN 2 CIRCUITS)
FOR SWITCHING
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA607T | P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING |
| UPA679TB | N/P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA801T | NPN SILICON HIGH FREQUENCY |
| UPA801T-T1-A | NPN SILICON HIGH FREQUENCY |
| UPA861TD | NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| UPA607T | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING |
| UPA607T-T1-A | 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:- 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:3A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UPA607T-T2-A | 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:- 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:3A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UPA608T(T1-A) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 6-Pin SC-74 T/R |
| UPA609T-T1(A) | 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 6-Pin SC-74 T/R |
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