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參數資料
| 型號： | UPA610 |
| 英文描述： | UPA610TA Data Sheet | Data Sheet[09/1996] |
| 中文描述： | UPA610TA數據表|數據表[09/1996] |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | UPA610 |
1996
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
μ
PA610TA
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
FOR HIGH SPEED SWITCHING
Document No. D11199EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published September 1996 P
Printed in Japan
DESCRIPTION
The
μ
PA610TA is a switching device which can be driven
directly by a 2.5 V power source.
The
μ
PA610TA has excellent switching characteristics, and is
suitable for use as a high-speed switching device in digital circuits.
FEATURES
Can be driven by a 2.5 V power source.
Low Gate Cut-off Voltage.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
°
C)
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (pulse)
Total Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
V
DSS
V
GSS
I
D(DC)
I
D(pulse)
P
T
T
ch
T
stg
–30
+20
+0.1
V
V
A
A
+0.4
Note
300 (TOTAL)
150
–55 to +150
mW
°
C
°
C
Note
PW
≤
10
μ
s, Duty Cycle
≤
1 %
Package Drawings (unit: mm)
Equivalent Circuit
Pin Connection (Top View)
6
5
4
1
2
3
1. Source 1
2. Source 2
3. Gate 2
4. Drain 2
5. Gate 1
6. Drain 1
Marking : JB
Internal Diode
Source
Drain
Gate
Gate Protect
Diode
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When this
device is actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated voltage
may be applied to this device.
2.9 ±0.2
1.9
0.95 0.95
0.32
+0.1
1
2
+
0
–
0.16
+0.1
0 to 0.1
0.8
1.1 to 1.4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA611 | UPA611TA Data Sheet | Data Sheet[08/1999] |
| UPA620 | UPA620TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002] |
| UPA621 | UPA621TT Data Sheet | Data Sheet[06/2002] |
| UPA622 | UPA622TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002] |
| UPA620TT | N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| UPA610TA | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING |
| UPA610TA(T1) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| UPA610TA-T1-A | 功能描述:MOSFET LV SC-74 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:- 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:3A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UPA610TA-T2-A | 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 30V SC-59 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:- 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:3A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UPA611 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UPA611TA Data Sheet | Data Sheet[08/1999] |
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