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參數資料
| 型號： | UPA862TC |
| 英文描述： | Discrete |
| 中文描述： | 離散 |
| 文件頁數： | 1/28頁 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | UPA862TC |
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DATA SHEET
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Document No. P15734EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published September 2001 NS CP(K)
Printed in Japan
2001
NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
μ
PA863TC
NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS)
IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
FEATURES
Low voltage operation
2 different built-in transistors (2SC5436, 2SC5800)
Q1: High gain transistor suited for buffer applications
f
T
= 12.0 GHz TYP.,
S
21e
Q2: Low phase distortion transistor suited for OSC applications
f
T
= 4.5 GHz TYP.,
S
21e
Flat-lead 6-pin thin-type ultra super minimold package
2
= 9.0 dB TYP. @ V
CE
= 1 V, I
C
= 10 mA, f = 2 GHz
2
= 4.0 dB TYP. @ V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz
BUILT-IN TRANSISTORS
Q1
Q2
3-pin thin-type ultra super minimold part No.
2SC5436
2SC5800
ORDERING INFORMATION
Part Number
Quantity
Supplying Form
μ
PA863TC
50 pcs (Non reel)
8 mm wide embossed taping
μ
PA863TC-T1
3 kpcs/reel
Pin 6 (Q1 Base), Pin 5 (Q2 Emitter), Pin 4 (Q2 Base)
face the perforation side of the tape
Remark
To order evaluation samples, consult your NEC sales representative.
Unit sample quantity is 50 pcs.
Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA860TC | Discrete |
| UPA860TD | Discrete |
| UPA861TC | Discrete |
| UPA863TD | Discrete |
| UPA863TD-T3 | BJT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| UPA862TD | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA862TD-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA862TD-T3 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA862TD-T3-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA863TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
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