| 型號： | US6M1TR |
| 廠商： | Rohm Semiconductor |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6 |
| 產品目錄繪圖： | TUMT-6 Package Top |
| 特色產品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 標準包裝： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 溝道 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V，20V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 1.4A，1A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫歐 @ 1.4A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 70pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 6-SMD，扁平引線 |
| 供應商設備封裝： | TUMT6 |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 產品目錄頁面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | US6M1DKR |