| 型號： |
US6M1TR |
| 廠商： |
Rohm Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： |
4/8頁 |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
TUMT-6 Package Top
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| 特色產(chǎn)品： |
ECOMOS? Series MOSFETs
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| 標準包裝： |
1 |
| FET 型： |
N 和 P 溝道
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| FET 特點： |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
30V，20V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
1.4A，1A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
240 毫歐 @ 1.4A，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
2.5V @ 1mA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
2nC @ 5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
70pF @ 10V
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| 功率 - 最大： |
1W
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
6-SMD，扁平引線
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| 供應商設備封裝： |
TUMT6
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| 包裝： |
標準包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1639 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名稱： |
US6M1DKR
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