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參數(shù)資料
型號: UTC2SD1616
廠商: 友順科技股份有限公司
英文描述: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
中文描述: npn型外延硅晶體管
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大小: 155K
代理商: UTC2SD1616
UTC 2SD1616/A
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.
1
QW-R201-008,A
NPN EPITAXIAL SILICON
TRANSISTOR
DESCRIPTION
*Audio frequency power amplifier
*Medium speed switching
1: EMITTER 2: COLLECTOR 3: BASE
TO-92
1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Storage Temperature
Junction Temperature
Total Power Dissipation (Ta=25
°
C)
Collector to Base Voltage: D1616
Collector to Emitter Voltage: D1616
Emitter to Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (*Pulse)
Note: (*) Pulse width
10ms, Duty cycle<50%
CHARACTERISTICS
(Ta=25
°
C)
CHARACTERISTIC
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Base Emitter On Voltage
DC Current Gain: D1616
D1616A
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Turn On Time
SYMBOL
Tstg
Tj
Pc
VCBO
VALUE
-55 ~+150
150
750
60
120
50
60
6
1
2
UNIT
°
C
°
C
mW
V
D1616A
D1616A
VCEO
V
VEBO
Ic
Ic
V
A
A
SYMBOL
ICBO
IEBO
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(ON)
hFE1
TEST CONDITIONS
VCB=60V
VEB= 6V
IC=1A, IB=50mA
IC=1A, IB=50mA
VCE=2V, IC=50mA
VCE=2V, IC=100mA
MIN.
600
135
135
81
100
TYP.
0.15
0.9
640
MAX. UNIT
100
100
0.3
1.2
700
600
400
19
nA
nA
V
V
mV
hFE2
fT
Cob
ton
VCE=2V, IC=1A
VCE=2V, IC=100mA
VCB=10V, f=1MHz
VCE=10V, IC=100mA
160
0.07
MHz
pF
us
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UTC2SD1616A NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC2SD882S NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC31001 TELEPHONE TONE RINGER
UTC31002 TELEPHONE TONE RINGER
UTC31002A TELEPHONE TONE RINGER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UTC2SD1616A 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC2SD882S 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR
UTC-3.0W 制造商:Ubon 功能描述:3mm 20m 2.8mm 0.45}0.15mm Bulk
UTC300 制造商:Cooper Hand Tools / Weller 功能描述:
UTC3000A 制造商:Cooper Hand Tools / Weller 功能描述:
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