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VLS252008ET-1R0N-CA

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • VLS252008ET-1R0N-CA
    VLS252008ET-1R0N-CA

    VLS252008ET-1R0N-CA

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:駱小姐

    電話:18124020586

    地址:深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號星河world, A棟2203A

  • 79802

  • TDK Corporation

  • Nonstandard

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • VLS252008ET-1R0N-CA
    VLS252008ET-1R0N-CA

    VLS252008ET-1R0N-CA

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • TDK Corporation

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百正品

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
VLS252008ET-1R0N-CA PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 1μH Shielded Wirewound Inductor 970mA 219 mOhm Max Nonstandard
  • 制造商
  • tdk corporation
  • 系列
  • VLS-E-CA
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 類型
  • 繞線
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵氧體
  • 電感
  • 1μH
  • 容差
  • ±30%
  • 額定電流
  • 970mA
  • 電流 - 飽和值
  • 1.2A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻(DCR)
  • 219 毫歐最大
  • 不同頻率時的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 105°C
  • 頻率 - 測試
  • 1MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 非標準
  • 大小/尺寸
  • 0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)
  • 0.031"(0.80mm)
  • 標準包裝
  • 1
VLS252008ET-1R0N-CA 技術(shù)參數(shù)
  • VLS252008ET-1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 970mA 219 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±30% 額定電流:970mA 電流 - 飽和值:1.2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):219 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.031"(0.80mm) 標準包裝:1 VLS252008ET-100M-CA 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 410mA 1.232 Ohm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:410mA 電流 - 飽和值:430mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):1.232 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.031"(0.80mm) 標準包裝:1 VLS252008ET-100M 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 410mA 1.232 Ohm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:410mA 電流 - 飽和值:430mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):1.232 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.031"(0.80mm) 標準包裝:1 VLS201612HBX-R68M-1 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 2.77A 54 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:金屬 電感:680nH 容差:±20% 額定電流:2.77A 電流 - 飽和值:3.02A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):54 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806(2016 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安裝(最大值):0.047"(1.20mm) 標準包裝:1 VLS201612HBX-R47M-1 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 42 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:金屬 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:3.2A 電流 - 飽和值:3.78A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):42 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806(2016 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安裝(最大值):0.047"(1.20mm) 標準包裝:1 VLS252008ET-6R8M-CA VLS252008ET-R47N VLS252008ET-R47N-CA VLS252008ET-R68N VLS252010CX-100M VLS252010CX-150M VLS252010CX-1R0M VLS252010CX-1R5M VLS252010CX-220M VLS252010CX-2R2M VLS252010CX-3R3M VLS252010CX-4R7M VLS252010CX-6R8M VLS252010CX-R47M VLS252010CX-R68M VLS252010ET-100M VLS252010ET-100M-CA VLS252010ET-1R0N
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