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參數資料
| 型號： | VG36646141BT-7 |
| 廠商： | Vanguard International Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| 中文描述： | 同步動態(tài)隨機存儲器的CMOS |
| 文件頁數： | 1/70頁 |
| 文件大小： | 974K |
| 代理商： | VG36646141BT-7 |
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Document : 1G5-0127
Rev2
Page 1
VIS
Preliminary VG36641641BT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
Description
The device is CMOS Synchronous Dynamic RAM organized as 1,048,576 - word x 16-bit x 4-bank. it is
fabricated with an advanced submicron CMOS technology and designed to operate from a singly 3.3V only
power supply. It is packaged in JEDEC standard pinout and standard plastic TSOP package.
Features
Single 3.3V (
) power supply
High speed clock cycle time : 8/10ns
Fully synchronous with all signals referenced to a positive clock edge
Programmable CAS Iatency (2,3)
Programmable burst length (1,2,4,8,&Full page)
Programmable wrap sequence (Sequential/Interleave)
Automatic precharge and controlled precharge
Auto refresh and self refresh modes
Quad Internal banks controlled by A12 & A13 (Bank select)
Each Bank can operate simultaneously and independently
LVTTL compatible I/O interface
Random column access in every cycle
X16 organization
Input/Output controlled by LDQM and UDQM
4,096 refresh cycles/64ms
Burst termination by burst stop and precharge command
Burst read/single write option
The information shown is subject to change without notice.
0.3V
±
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VG36646141BT-8 | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36648041BT-8H | x8 SDRAM |
| VG36648041BT-8L | x8 SDRAM |
| VG37648041AT | 256M:x4, x8, x16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG4616322BQ-5 | 262,144x32x2-Bit CMOS Synchronous Graphic RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| VG36646141BT-8 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36648041BT-10 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36648041BT-7 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36648041BT-8 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36648041BT-8H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
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