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參數資料
| 型號： | VN10K-TO18 |
| 廠商： | SEMELAB LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 中文描述： | 0.17 A, 60 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-18 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | VN10K-TO18 |
VN10K-TO18
Prelim.10/99
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
V
DS
V
GS
I
D
Drain – Source Voltage
Gate – Source Voltage
Continuous Drain Current
@T
amb
= 25°C
@T
amb
= 100°C
I
DM
P
D
Pulsed Drain Current 1
Power Dissipation
@T
amb
= 25°C
@T
amb
= 100°C
T
STG
, T
J
Maximum Junction and Storage Temperature Range
60V
+15 , –0.3 V
0.17A
0.11A
1.0A
1.5W
0.12W
–55 to 150°C
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
1
3
2
2.54 (0.100)
Nom.
0.48 (0.019)
0.41 (0.016)
dia.
5.84 (0.230)
5.31 (0.209)
4.95 (0.195)
4.52 (0.178)
5
4
1
m
N–CHANNEL
ENHANCEMENT MODE
MOSFET
D
G
S
TO18 PACKAGE
Underside View
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25
°
C unless otherwise stated)
NOTE:
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.
PIN 1 - Source
PIN 2 - Gate
PIN 3 - Drain & Case
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VN10KE | N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors |
| VN10LP | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| VN1225CC | Sample/Track-and-Hold Amplifier |
| VN1225CI | Sample/Track-and-Hold Amplifier |
| VN1225CM | Sample/Track-and-Hold Amplifier |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| VN10LDA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
| VN10LDB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
| VN10LDC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
| VN10LE | 功能描述:MOSFET 60V 5 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VN10LE-2 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSPOWER TRANSISTOR |
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