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參數資料
| 型號： | VQ1000CP |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | VQ1000CP |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VQ1000CY | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 225MA I(D) | SO |
| VQ1006J | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 400MA I(D) | DIP |
| VR-182A | Voltage Reference |
| VR-182B | Voltage Reference |
| VR-182C | Voltage Reference |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| VQ1000CY | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 225MA I(D) | SO |
| VQ1000J | 功能描述:MOSFET QD 60V 0.225A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VQ1000P | 功能描述:MOSFET QD 60V 0.225A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VQ1000P2 | 制造商:SILICONIX 功能描述:New |
| VQ1000P-2 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.225A 14-Pin PDIP T/R |
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