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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W24L11T-70LL |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 8 High Speed CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/11頁(yè) |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | W24L11T-70LL |
Preliminary W24L11
Publication Release Date: October 1999
- 7 -
Revision A1
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
(T
A
(
°
C) = 0 to 70)
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP. MAX. UNIT
V
DD
for Data Retention
V
DR
CS1
≥
V
DD
-0.2V or
CS2
≤
0.2V
2.0
-
-
V
Data Retention Current
I
DDDR
CS1
≥
V
DD
-0.2V or
CS2
≤
0.2V, V
DD
= 3V
See data retention waveform
-
-
50
μ
A
Chip Deselect to Data
Retention Time
T
CDR
0
-
-
nS
Operation Recovery Time
T
R
T
RC
*
-
-
nS
*
Read Cycle Time
DATA RETENTION WAVEFORM
T
CDR
-0.2V
DD
V
V
DD
CS1
T
R
CS1
V
DR
2V
=
=
0.9
DD
V
0.9
DD
V
CS2
0V <
<
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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