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參數資料
型號: XN04604
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Composite Device - Composite Transistors
中文描述: 500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, MINI6-G1, SC-74, 6 PIN
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 117K
代理商: XN04604
Composite Transistors
XN04604
(XN4604)
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)
1
Publication date: February 2004
SJJ00084BED
For amplification of low-frequency output
Features
Two elements incorporated into one package
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
Basic Part Number
2SD1328
+
2SB0970 (2SB970)
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: 5I
Internal Connection
Unit: mm
0.16
+0.10
1: Collector (Tr1)
2: Base (Tr2)
3: Emitter (Tr2)
EIAJ : SC-74
4: Collector (Tr2)
5: Base (Tr1)
6: Emitter (Tr1)
Mini6-G1 Package
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
2.90
1.9
±
(0.95)
2
+
1
+
1
0
+
1
(
0
±
0
+
0.30
+0.10
0.50
+0.10
(0.95)
6
5
4
1
3
2
+0.20
5
10
6
Tr2
Tr1
5
4
3
1
2
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Tr1
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
25
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
20
V
Emitter-base voltage
(Collector open)
V
EBO
12
V
Collector current
I
C
I
CP
V
CBO
0.5
A
Peak collector current
1
A
Tr2
Collector-base voltage
(Emitter open)
15
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
10
V
Emitter-base voltage
(Collector open)
V
EBO
7
V
Collector current
I
C
0.5
1
A
Peak collector current
I
CP
P
T
A
Overall
Total power dissipation
300
mW
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
相關PDF資料
PDF描述
XN4604 Composite Device - Composite Transistors
XN06501 Silicon NPN epitaxial planar type
XN09D57 Silicon PNP epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (SBD)
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參數描述
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