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參數資料
| 型號： | XN09D57 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (SBD) |
| 中文描述： | 2500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI6-G1, 6 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | XN09D57 |
Composite Transistors
XN09D57
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr)
Silicon epitaxial planar type (SBD)
1
Publication date: March 2004
SJJ00245CED
For DC-DC converter
■
Features
Two elements incorporated into one package (Tr
+
SBD)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
■
Basic Part Number
XN9D57
+
MA3XD11
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: EW
Internal Connection
Unit: mm
0.16
+0.10
4
3
6
1
2
5
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
V
CEO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
1 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CB
=
10 V, I
E
=
0
V
CE
=
2 V, I
C
=
100 mA
V
CE
=
2 V, I
C
=
2.5 A
I
C
=
1 A, I
B
=
10 mA
I
C
=
2.5 A, I
B
=
50 mA
15
15
5
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
h
FE1
0.1
μ
A
Forward current transfer ratio
*
200
560
h
FE2
100
Collector-emitter saturation voltage
*
V
CE(sat)
140
270
mV
320
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Tr
1: Emitter
2: Base
3: Anode
4: Collector (Cathode)
5: Collector (Cathode)
6: Collector (Cathode)
Mini6-G1 Package
Note)*: Measuring on ceramic substrate at 15 mm
×
15 mm
×
0.6 mm
2.90
1.9
±
0.1
+0.20
2
+
–
1
+
–
1
0
+
–
1
(
0
±
0
+
–
(0.95)
0.50
+0.10
0.30
+0.10
(0.95)
4
5
6
3
1
2
5
°
10
°
Display at No.1 lead
Parameter
Symbol
Rating
15
Unit
Tr
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
15
V
Emitter-base voltage
(Collector open)
V
EBO
5
V
Collector current
I
C
I
CP
2.5
10
A
Peak collector current
A
SBD
Reverse voltage
V
R
20
V
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
25
V
Forward current (Average)
1
A
Non-repetitive peak
forward surge current
2
A
Overall
Total power dissipation
*
P
T
T
j
600
mW
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: Pulse measurement
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PDF描述 |
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