- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382778 > ZTX314DB TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | CHIP PDF資料下載
參數資料
| 型號： | ZTX314DB |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | CHIP |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 15V的五（巴西）總裁|芯片 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | ZTX314DB |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZTX510DA | TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | CHIP |
| ZTX510DB | TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | CHIP |
| ZTX510DC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | CHIP |
| ZTX337C | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZTX456 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| ZTX314DC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | CHIP |
| ZTX314STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX314STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX314STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX320 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 - RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。