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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ZTX337C |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 過時(shí) |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | ZTX337C |
NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 2 MARCH 94
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
B
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
50
V
Collector-Emitter Voltage
45
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Base Current
100
mA
Continuous Collector Current
800
mA
Power Dissipation
750
mW
Operating and Storage Temperature Range
-55 to +175
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
50
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CES
45
V
I
C
=100
μ
A
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
nA
V
CB
=45V, I
E
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.7
V
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
Base-Emitter Turn On
Voltage
V
BE(on)
1.2
V
I
C
=300mA,V
CE
=1V*
Static Forward Current
Transfer
h
FE
250
170
630
I
C
=100mA, V
CE
=1V*
I
C
=300mA, V
CE
=1V*
Transition
Frequency
f
T
200
MHz
I
=10mA, V
CE
=5V
f=50MHz
Output Capacitance
C
obo
12
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
ZTX337C
3-163
C
E-Line
TO92 Compatible
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZTX456 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92VAR |
| ZTX501DB | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | CHIP |
| ZTX501DC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | CHIP |
| ZTX502 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92VAR |
| ZTX502DA | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | CHIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZTX337CSTOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX337CSTOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX337CSTZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX337STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX337STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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