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參數資料
| 型號： | ZTX653LCC4 |
| 元件分類： | TVS-瞬態抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 叩 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 17K |
| 代理商： | ZTX653LCC4 |
ZTX653LCC4
Prelim. 5/00
Issue 2
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
NPN TRANSISTOR IN A
HERMETICALLY SEALED CERAMIC
SURFACE MOUNT PACKAGE
FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
FEATURES
SILICON PLANAR NPNTRANSISTOR
HERMETIC SURFACE MOUNT PACKAGE
CECC SCREENING OPTIONS
SPACE QUALITY LEVEL OPTIONS
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
TOT
Collector – Base Voltage
Collector – Emitter Voltage
Emitter – Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation @ T
amb
= 25°C
Derate above 25°C
Operating And Storage Temperature Range
Junction - Ambient Thermal Resistance
T
j
T
STG
R
q
J-A
120V
100V
5V
2A
2W
16mW/°C
–55 to 150°C
62.5°C/W
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS PER SIDE
(T
C
= 25°C unless otherwise stated)
LCC4 PACKAGE
Underside View
BASE
COLLECTOR
EMITTER
4,5
1,2,15,16,17,18
6,7,8,9,10,11,12,13
1.39 (0.055)
1.15 (0.045)
0.76 (0.030)
0.51 (0.020)
1.39 (0.055)
1.02 (0.040)
15 16
13
12
14
3
4
5
6
7
17
18
1
2
11
10
8
9
9.14 (0.360)
8.64 (0.340)
1.27 (0.050)
1.07 (0.040)
≈
2.16 (0.085)
7.62 (0.300)
7.12 (0.280)
1.65 (0.065)
1.40 (0.055)
0.33 (0.013)
0.08 (0.003)
0.43 (0.017)
Rad.
Rad.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN2535B | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZVN2535L | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZVN4106FTA | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZXSC420 | |
| ZXSDS2M832 | |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| ZTX653M1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SO |
| ZTX653STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX653STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX653STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX654 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 - RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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