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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ZVP2106AM1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 280MA I(D) | SO |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 60V的五（巴西）直| 280MA（丁）|蘇 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | ZVP2106AM1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVP1320B | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 100MA I(D) | TO-39 |
| ZVP2106L | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 380MA I(D) | TO-220 |
| ZVP2106Z | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 390MA I(D) | SOT-89 |
| ZVP2110B | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-39 |
| ZVP2120B | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-39 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZVP2106AS | 功能描述:MOSFET P-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVP2106ASTOA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVP2106ASTOB | 功能描述:MOSFET P-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVP2106ASTZ | 功能描述:MOSFET P-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVP2106B | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:P CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS FET |
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