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1N5231BTAP

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  • 深圳市湘達電子有限公司
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    聯系人:朱平

    電話:0755-83229772-83202753

    地址:辦公地址 幫我改成 深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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    聯系人:唐先生

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1N5231BTAP 技術參數
  • 1N5231BTA 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1.9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5231B-T 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5231BDO35TR 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5231B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5231B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5231TA 1N5232A (DO-35)TR 1N5232B 1N5232B (DO-35) 1N5232B A0G 1N5232B BK 1N5232B TR 1N5232B_S00Z 1N5232B_T26A 1N5232B_T50A 1N5232B_T50R 1N5232B-T 1N5232BTA 1N5232B-TAP 1N5232B-TP 1N5232BTR 1N5232B-TR 1N5232BUR-1
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