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1N6002C

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 12V 2% 480MW 2PIN DO-35 - Bulk
1N6002C 技術參數
  • 1N6002B-TP 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6002B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N6002B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N6002B TR 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N6002B BK 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N6003UR 1N6003UR-1 1N6004A 1N6004B 1N6004B BK 1N6004B_T50A 1N6004B_T50R 1N6004B-TP 1N6004C 1N6004D 1N6004UR 1N6004UR-1 1N6005A 1N6005B 1N6005B_T50A 1N6005B_T50R 1N6005C 1N6005D
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