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1N6005UR

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  • 功能描述
  • Zener Diode
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • *
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 標準包裝
  • 1
1N6005UR 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6005D 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):16V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):36 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 12V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6005C 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):16V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):36 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 12V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6005B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):16V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):36 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 12V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N6005B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):16V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):36 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 12V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N6005B 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):16V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):36 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 12V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6006D 1N6006UR 1N6006UR-1 1N6007A 1N6007B 1N6007B_T50A 1N6007B_T50R 1N6007B-TP 1N6007C 1N6007D 1N6007UR 1N6007UR-1 1N6008A 1N6008B 1N6008B_T50A 1N6008B_T50R 1N6008C 1N6008D
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