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1N6010UR

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  • 功能描述
  • Zener Diode
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • *
  • 零件狀態
  • 在售
  • 標準包裝
  • 1
1N6010UR 技術參數
  • 1N6010D 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6010C 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6010B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N6010B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N6010B 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6011UR-1 1N6012A 1N6012B 1N6012B BK 1N6012B_T50A 1N6012B_T50R 1N6012B-TP 1N6012C 1N6012D 1N6012UR 1N6012UR-1 1N6013A 1N6013B 1N6013B BK 1N6013B_T50A 1N6013B_T50R 1N6013B-TP 1N6013C
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