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1N6010UR

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說明
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1N6010UR
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：高先生/曹先生/周小姐
電話：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
43130
Microchip / Microsemi
DO-213AA-2
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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1

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功能描述
Zener Diode
制造商
microsemi corporation
系列
*
零件狀態
在售
標準包裝
1

1N6010UR 技術參數

1N6010D 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6010C 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6010B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N6010B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N6010B 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6011UR-1 1N6012A 1N6012B 1N6012B BK 1N6012B_T50A 1N6012B_T50R 1N6012B-TP 1N6012C 1N6012D 1N6012UR 1N6012UR-1 1N6013A 1N6013B 1N6013B BK 1N6013B_T50A 1N6013B_T50R 1N6013B-TP 1N6013C