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1N6008B_T50A

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功能描述
穩(wěn)壓二極管 Zener Diode
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數(shù)
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

1N6008B_T50A 技術參數(shù)

1N6008B 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:22V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:55 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 17V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6008A 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:22V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6007UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N6007UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N6007D 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:20V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:48 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 15V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6009B_T50R 1N6009B-TP 1N6009C 1N6009D 1N6009UR 1N6009UR-1 1N6010A 1N6010B 1N6010B_T50A 1N6010B_T50R 1N6010C 1N6010D 1N6010UR 1N6010UR-1 1N6011A 1N6011B 1N6011B_T50A 1N6011B_T50R