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1N6003C

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1N6003C
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
MICRO SEMICONDUCTOR(MICRO
標準封裝
13+
-

1N6003C
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
MICRO SEMICONDUCTOR(MICRO
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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ZENER SGL 13V 2% 480MW 2PIN DO-35 - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 13V 500MW DO-35

1N6003C 技術參數

1N6003B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N6003B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N6003B 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6003A 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:36 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6002UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N6004C 1N6004D 1N6004UR 1N6004UR-1 1N6005A 1N6005B 1N6005B_T50A 1N6005B_T50R 1N6005C 1N6005D 1N6005UR 1N6005UR-1 1N6006A 1N6006B 1N6006B BK 1N6006B TR 1N6006B_T50A 1N6006B_T50R