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1N6625

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說明
操作

1N6625
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進口
-
代理渠道可追溯現貨庫存F

1N6625E3
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
230
MICROSEMI
散裝
1521+
-
全新原裝現貨

1N6625
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
0
Microchip
瑞智芯只有原裝
21+
-

1N6625 *S
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
448
MSC
-
公司現貨,只做原裝！

1N6625E3
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
全新庫存現貨電話010-6210493...

1N6625
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
1
MICROSEMI
主營優勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

1N6625 *S
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
448
MSC
-
公司現貨,只做原裝！

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
A SD - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

1N6625 技術參數

1N6624US 功能描述:DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:990V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.55V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 990V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6624 功能描述:DIODE REC ULTRA FAST 1.8V PKG A 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N6623US 功能描述:DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:880V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.55V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 880V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6623 功能描述:DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:880V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.55V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 880V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6622US 功能描述:DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:660V 電流 - 平均整流（Io）:1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 660V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6629 1N6629US 1N6630 1N6630US 1N6631 1N6631US 1N6632 1N6632US 1N6633 1N6633US 1N6634 1N6634US 1N6635 1N6635US 1N6636 1N6636US 1N6637 1N6637US