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1N6622US

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

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  • 全新庫存現貨 電話010-6210493...

  • 1N6622US
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  • 深圳市亞泰盈科電子有限公司
    深圳市亞泰盈科電子有限公司

    聯系人:鄭小姐

    電話:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田區佳和大廈B座1410-1411

    資質:營業執照

  • 1200

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  • 全新原裝數量均有多電話咨詢

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  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯系人:丁皓鵬

    電話:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質:營業執照

  • 100000

  • MICROSEMI

  • N/A

  • 15+

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  • 原裝正品 價格優勢!

  • 1N6622US
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  • 科創特電子(香港)有限公司
    科創特電子(香港)有限公司

    聯系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 100

  • MICROSEMI

  • 主營優勢

  • 1719

  • -
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 600V 1.2A 2PIN D-5A - Bulk
1N6622US 技術參數
  • 1N6622 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):45ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應商器件封裝:A-PAK 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:500 1N6621US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.6V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):45ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N6621US 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):440V 電流 - 平均整流(Io):1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 440V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6621 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):440V 電流 - 平均整流(Io):1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 440V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6620US 功能描述:DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):220V 電流 - 平均整流(Io):1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 220V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6627 1N6627US 1N6628 1N6628US 1N6628US/TR 1N6629 1N6629US 1N6630 1N6630US 1N6631 1N6631US 1N6632 1N6632US 1N6633 1N6633US 1N6634 1N6634US 1N6635
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