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1N6621US/TR

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功能描述
UFR,FRR
制造商
microsemi corporation
系列
-
零件狀態
在售
二極管類型
標準
電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）
400V
電流 - 平均整流（Io）
2A
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf
1.6V @ 2A
速度
快速恢復 = 200mA（Io）
反向恢復時間（trr）
45ns
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
500nA @ 400V
不同?Vr，F 時的電容
10pF @ 10V，1MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SQ-MELF，A
供應商器件封裝
D-5A
工作溫度 - 結
-65°C ~ 150°C
標準包裝
100

1N6621US/TR 技術參數

1N6621US 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:440V 電流 - 平均整流（Io）:1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 440V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6621 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:440V 電流 - 平均整流（Io）:1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 440V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6620US 功能描述:DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:220V 電流 - 平均整流（Io）:1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 220V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6620 功能描述:DIODE GEN PURP 220V 1.2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:220V 電流 - 平均整流（Io）:1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 220V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6549 功能描述:DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:有效標準包裝:1 1N6626 1N6626US 1N6627 1N6627US 1N6628 1N6628US 1N6628US/TR 1N6629 1N6629US 1N6630 1N6630US 1N6631 1N6631US 1N6632 1N6632US 1N6633 1N6633US 1N6634