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2N4343

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2N4343
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
SSI
標準封裝
08+
-
百分百原裝正品，質量保障價格及優

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制造商
NJSEMI
制造商全稱
New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
功能描述
LOW NOISE VOLTAGE

2N4343 技術參數

2N4340 功能描述:TRANS JFET N-CH 50V 50MA TO-18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測試:15V 額定電流:- 噪聲系數:1dB 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:50V 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N4339-E3 功能描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:500μA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4339-2 功能描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:500μA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N4339 功能描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:500μA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4338-E3 功能描述:MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:200μA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:300mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4372 2N4373 2N4374 2N4375 2N4376 2N4377 2N4378 2N4391 2N4391-2 2N4391-E3 2N4391UB 2N4392 2N4392-2 2N4392-E3 2N4392UB 2N4393 2N4393-2 2N4393-E3