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2N678B

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  • 功能描述
  • TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3
2N678B 技術(shù)參數(shù)
  • 2N6788U 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:18-ULCC(9.14x7.49) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6788 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-205AF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6784U 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.25A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 1.5A,0V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):8.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:18-ULCC(9.14x7.49) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6784 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-205AF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.25A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 1.5A,0V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):8.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6782U 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):600 毫歐 @ 2.25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):8.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:18-ULCC(9.14x7.49) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6802U 2N6804 2N6849 2N6849U 2N6901 2N696 2N696S 2N697 2N697A 2N697S 2N6987 2N6987U 2N6988 2N6989 2N6989U 2N6989UTX 2N699 2N6990
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