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2N7002E T1 E3

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價格
說明
操作

2N7002E T1 E3
深圳市海天鴻電子科技有限公司
深圳市海天鴻電子科技有限公司
聯系人：彭小姐、劉先生、李小姐
電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）
地址：深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號
資質：營業執照
6800
VISHAY
原廠原裝
1728+
-
只做原裝一手貨源，代理商分銷庫存

2N7002E T1 E3
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
VISHAY
原廠封裝
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨?。?/p>

2N7002E T1 E3
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：馬先生
電話：19166264056
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
1957
VISHAY
原廠原封
全新環保批次
-
授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

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您是不是要找： 2N7002E,215 2N7002-E3 2N7002E-7-F 2N7002E-T1-E3 2N7002ET1G 2N7002E-T1-GE3 2N7002ET3G 2N7002F,215 2N7002-G

2N7002E T1 E3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2N7002E T1 E3 技術參數

2N7002E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 100mA、 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:1 2N7002DW-TP 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:115mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 2N7002DWQ-7-F 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:230mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:310mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 2N7002DWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:300mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:20pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:1 2N7002DWA-7 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 115mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.87nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:22pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 2N7002H-13 2N7002H6327XTSA2 2N7002H-7 2N7002-HF 2N7002K 2N7002K,215 2N7002K-7 2N7002K-T1-E3 2N7002KT1G 2N7002K-T1-GE3 2N7002KT3G 2N7002K-TP 2N7002KW 2N7002L 2N7002LT1 2N7002LT1G 2N7002LT3 2N7002LT3G