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2SA933AS-TP-R

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2SA933AS-TP-R 技術參數
  • 2SA933ASTPR 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:140MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 成形引線 供應商器件封裝:SPT 標準包裝:1 2SA933ASTPQ 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:140MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 成形引線 供應商器件封裝:SPT 標準包裝:1 2SA854STPR 功能描述:TRANS PNP 32V 0.5A SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 成形引線 供應商器件封裝:SPT 標準包裝:5,000 2SA854STPQ 功能描述:TRANS PNP 32V 0.5A SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 成形引線 供應商器件封裝:SPT 標準包裝:5,000 2SA733P_D26Z 功能描述:TRANS PNP 50V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2SA949-Y,ONK-1F(M 2SA965-O(TE6,F,M) 2SA965-O,F(J 2SA965-Y(F,M) 2SA965-Y(T6CANO,FM 2SA965-Y,F(J 2SA965-Y,SWFF(M 2SA965-Y,T6F(J 2SA965-Y,T6KOJPF(J 2SAR293P5T100 2SAR293PFRAT100 2SAR293PT100 2SAR340PT100P 2SAR340PT100Q 2SAR502EBTL 2SAR502UBTL 2SAR512P5T100 2SAR512PFRAT100
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