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2SA991E

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2SA991E
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
8000
AD574JD
AD598SD/883B
21+
-
ALTERA.XILINX代理指定授權分...

2SA991E
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
NEC
TO-92
13+
-
全新原裝100%正品保證質量

2SA991E
北京元坤偉業科技有限公司
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聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
NEC
TO-92
最新
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2SA991E
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
NEC
TO-92
13+
-

2SA991E
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
NEC
TO92
最新批號
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2SA991E 技術參數

2SA965-Y,T6KOJPF(J 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:LSTM 標準包裝:1 2SA965-Y,T6F(J 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:LSTM 標準包裝:1 2SA965-Y,SWFF(M 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:LSTM 標準包裝:1 2SA965-Y,F(J 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:LSTM 標準包裝:1 2SA965-Y(T6CANO,FM 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:LSTM 標準包裝:1 2SAR512PT100 2SAR512RTL 2SAR513P5T100 2SAR513PFRAT100 2SAR513PT100 2SAR513RTL 2SAR514P5T100 2SAR514PFRAT100 2SAR514PT100 2SAR514RTL 2SAR522EBTL 2SAR522MT2L 2SAR522UBTL 2SAR523EBTL 2SAR523MT2L 2SAR523UBTL 2SAR533P5T100 2SAR533PFRAT100