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2N412

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  • TRANSISTOR | BJT | PNP | 15MA I(C) | TO-1
2N412 技術參數
  • 2N4119A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:200μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:2V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF（TO-72） 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4119A-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:200μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:2V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF（TO-72） 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N4119A 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:200μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:2V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF（TO-72） 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4118A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:80μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:1V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF（TO-72） 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4118A-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:80μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:1V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF（TO-72） 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N4124_S00Z 2N4124BU 2N4124G 2N4124TA 2N4124TAR 2N4124TF 2N4124TFR 2N4125_S00Z 2N4125BU 2N4125TA 2N4125TAR 2N4125TF 2N4125TFR 2N4126 2N4126_S00Z 2N4126BU 2N4126TA 2N4126TAR
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