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參數資料
型號: 2N4232LEADFREE
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
封裝: TO-66, 2 PIN
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 31K
代理商: 2N4232LEADFREE
Power Transistors
TO-66 Case
www.centr alsemi.com
Shaded areas indicate Darlington.
TYPE NO.
IC
PD
BVCBO
BVCEO
hFE
@ IC VCE(SAT) @ IC
fT
(A)
(W)
(V)
(A)
(V)
(A)
(MHz)
NPN
PNP
MAX
MIN
MAX
MIN
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25
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25
150
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1.0
0.5
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90
55
25
150
0.5
0.8
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- -
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40
- -
0.1
0.75
1.0
10
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40
- -
0.1
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200
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4.0
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150
0.25
0.6
1.0
3.0
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4.0
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30
150
0.25
0.6
1.0
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4.0
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150
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0.6
1.0
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1.0
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1.0
0.5
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5.0
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100
1.5
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5.0
4.0
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3.0
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0.2
(6-December 2004)
相關PDF資料
PDF描述
2N6425LEADFREE 1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
2N6263LEADFREE 3 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
2N4233LEADFREE 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
2N3741ALEADFREE 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
2N6467LEADFREE 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
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參數描述
2N4233 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 80V 5A 3PIN TO-66 - Bulk
2N4233A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 80V 5A 3PIN TO-66 - Bulk
2N4234 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4235 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4235 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -60V TO-39
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