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參數資料
| 型號： | 2N5190 |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER |
| 中文描述： | 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | TO-126, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | 2N5190 |
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5192 | NPN SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER |
| 2N5191 | MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTORS |
| 2N5191 | NPN SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER |
| 2N5191 | POWER TRANSISTORS SILICON NPN |
| 2N5192 | Medium Power NPN Silicon Transistors(NPN硅晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5190G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5191 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5191 | 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR, NPN TO-126 |
| 2N5191/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2N5191_00 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTORS |
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