型號: | 2N5191 |
廠商: | 意法半導體 |
英文描述: | MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTORS |
中文描述: | 中功率NPN硅晶體管 |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大小: | 65K |
代理商: | 2N5191 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2N5191 | NPN SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER |
2N5191 | POWER TRANSISTORS SILICON NPN |
2N5192 | Medium Power NPN Silicon Transistors(NPN硅晶體管) |
2N5195 | Medium Power PNP Silicon Transistor(PNP硅晶體管) |
2N5195 | PNP SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2N5191 | 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR, NPN TO-126 |
2N5191/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
2N5191_00 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTORS |
2N5191_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:NPN power transistors |
2N5191G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 60V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |