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參數資料
| 型號： | 2N5950 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | BNC FEMALE POWER DIVIDER; NUMBER OF OUTPUT PORTS: 2; FREQUENCY RANGE: 2 - 500 MHz; MINIMUM ISOLATION: 25 dB; VSWR: 1.35 MAXIMUM; MAXIMUM INSERTION LOSS: 1.00 dB |
| 中文描述： | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2N5950 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5951 | BNC FEMALE POWER DIVIDER; NUMBER OF OUTPUT PORTS: 4; FREQUENCY RANGE: 2 - 500 MHz; MINIMUM ISOLATION: 22 dB; VSWR: 1.35 MAXIMUM; MAXIMUM INSERTION LOSS: 1.50 Db |
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| 2N5655 | Plastic Silicon NPN Power Transistor(塑料硅NPN功率晶體管) |
| 2N5657 | Plastic Silicon NPN Power Transistor(塑料硅NPN功率晶體管) |
| 2N5656 | Plastic Silicon NPN Power Transistor(0.5A，20W，300V（集電極-發射極），塑料硅NPN功率晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5950_J18Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| 2N5950_J35Z | 功能描述:JFET 30V N-CH JFET RDS ON RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| 2N5950_Q | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| 2N5951 | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| 2N5951 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:JFET |
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