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參數資料
| 型號： | 2N7000CSM |
| 廠商： | SEMELAB LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC1-3 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | 2N7000CSM |
FEATURES
MECHANICAL DATA
Case: TO-92 Plastic Package
Weight: approx. 0.18 g
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DMOS Transistors (N-Channel)
G
D
S
.181 (4.6)
mi
n.
.492
(12.5)
.181
(
4
.6)
.142 (3.6)
Dimensions in inches and (millimeters)
TO-92
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified
.098 (2.5)
max.
.022 (0.55)
4/98
2N7000
High input impedance
Low gate threshold voltage
Low drain-source ON resistance
High-speed switching
No minority carrier storage time
CMOS logic compatible input
No thermal runaway
No secondary breakdown
Inverse Diode
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
VDSS
60
V
Drain-Gate Voltage
VDGS
60
V
Gate-Source Voltage (pulsed)
VGS
± 20
V
Drain Current (continuous)
ID
300
mA
Power Dissipation at Tamb = 25 °C
Ptot
8301)
mW
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature Range
TS
–65 to +150
°C
1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case.
Symbol
Value
Unit
Max. Forward Current (continuous)
at Tamb = 25 °C
IF
500
mA
Forward Voltage Drop (typ.)
at VGS = 0, IF = 0.5 A, Tj = 25 °C
VF
850
mV
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7000 | N-CHANNEL-ENHANCEMENT |
| 2KBP01M | IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE PHASE RECTIFIER BRIDGE |
| 2KBP01M | 2.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| 3VC32H15BY-1.5MHZ | Crystal Oscillator |
| 3VC15H100DW-2MHZ | Crystal Oscillator |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N7000CSM_06 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Na??CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
| 2N7000-D26Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號:2N7000 標準包裝:1 |
| 2N7000-D74Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號:2N7000 標準包裝:1 |
| 2N7000-D75Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號:2N7000 標準包裝:1 |
| 2N7000G | 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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