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參數資料
| 型號： | 2N7000CSM |
| 英文描述： | N-Channel Enhanced Mode MOS Transistor（Vdss：60V，Id：200mA，Rds(on)：5Ω）(N溝道增強型MOS晶體管（Vdss：60V，Id：200mA，Rds(on)：5Ω）) |
| 中文描述： | N溝道增強型MOS晶體管（減振鋼板基本：60V的，身份證：200毫安時，RDS（上）：5Ω）（不適用溝道增強型馬鞍山晶體管（減振鋼板基本：60V的，身份證：200毫安時，RDS（上）：5Ω）） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 18K |
| 代理商： | 2N7000CSM |
Prelim. 8/00
2N7000CSM
Magnatec.
Telephone +44(0)1455 554711.
E-mail:
magnatec@semelab.co.uk
http://www.semelab.co.ukFax +44(0)1455 558843.
* Pulse width limited by maximum junction temperature.
N–CHANNEL
ENHANCEMENT MODE
MOS TRANSISTOR
FEATURES
V
(BR)DSS
= 60V
RDS
(ON)
= 5
W
I
D
= 200mA
Hermetic Ceramic Surface Mount
package
Screening Options Available
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
T
stg
Drain – Source Voltage
Gate – Source Voltage
Drain Current
Pulsed Drain Current *
Power Dissipation
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
@ T
CASE
= 25°C
@ T
CASE
= 25°C
60V
±40V
200mA
500mA
300mW
–55 to 150°C
–55 to 150°C
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
CASE
= 25°C unless otherwise stated)
SOT23 CERAMIC
(LCC1 PACKAGE)
2
1
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004)
0.31
(0.012)
1.91 ± 0.10
(0.075 ± 0.004)
3.05 ± 0.13
(0.12 ± 0.005)
2
(
0
(
1.02 ± 0.10
(0.04 ± 0.004)
1.40
(0.055)
max.
A
(0.31
rad.
A =
3
PAD 1
–
Gate
Underside View
PAD 2
–
Source
PAD 3
–
Drain
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7001 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 45MA I(D) | SOT-23 |
| 2N7002-MR | MOSFET 2N7002 MINIREEL 500PCS |
| 2N7002-T1 | TRANSISTOR SOT23 SMD MOSFET |
| 2N7002TR | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2N7004 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1A I(D) | MO-001VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N7000CSM_06 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Na??CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
| 2N7000-D26Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號:2N7000 標準包裝:1 |
| 2N7000-D74Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號:2N7000 標準包裝:1 |
| 2N7000-D75Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號:2N7000 標準包裝:1 |
| 2N7000G | 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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