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參數資料
| 型號： | 2PD601AQ,115 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 2PD601AQ,115 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PD601AT/R | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PD602ARL/DG | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 2PD602AQL/DG | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 2PG001 | 30 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 2PG003 | 40 A, 430 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2PD601AQW | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN general purpose transistors; 50 V, 100 mA |
| 2PD601AQW,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD601AR | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:NPN General Purpose Transistor |
| 2PD601AR T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD601AR,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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