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參數資料
| 型號： | 2SB1218G-R |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 264K |
| 代理商： | 2SB1218G-R |
Transistors
1
Publication date: April 2007
SJC00352AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
2SB1218G
Silicon PNP epitaxial planar type
For general amplification
Complementary to 2SD1819G
■ Features
High forward current transfer ratio h
FE
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing.
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
45
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
45
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
7V
Collector current
IC
100
mA
Peak collector current
ICP
200
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC = 10 A, IE = 0
45
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC
= 2 mA, I
B
= 0
45
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE = 10 A, IC = 0
7V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB = 20 V, IE = 0
0.1
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
ICEO
VCE
= 10 V, I
B
= 0
100
A
Forward current transfer ratio *
hFE
VCE = 10 V, IC = 2 mA
160
460
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = 100 mA, IB = 10 mA
0.3
0.5
V
Transition frequency
fT
VCB
= 10 V, I
E
= 1 mA, f = 200 MHz
80
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
2.7
pF
(Common base, input open circuited)
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
Rank
Q
R
S
No-rank
hFE
160 to 260
210 to 340
290 to 460
160 to 460
Marking symbol
BQ
BR
BS
B
Product of no-rank is not classified and have no marking symbol for rank.
■ Package
Code
SMini3-F2
Marking Symbol: B
Pin Name
1. Base
2. Emitter
3. Collector
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1218GR | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1219GS | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1219G | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1220S | 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1220T | 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1218GRL | 功能描述:TRANS PNP GP AMP 45VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1218GSL | 功能描述:TRANS PNP 45VCEO 100MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1219 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB12190RL | 功能描述:TRANS PNP GP AMP 50VCEO SMINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1219AQR | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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