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參數資料
| 型號： | 2SB1283 |
| 廠商： | Shindengen Electric Manufacturing Company, Ltd. |
| 英文描述： | Darlington Transistor(-7A PNP) |
| 中文描述： | 達林頓晶體管（- 7A條新進步黨） |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 412K |
| 代理商： | 2SB1283 |
Unit : mm
RATINGS
SHINDENGEN
Darlington Transistor
OUTLINE DIMENSIONS
Case : ITO-220
A PNP
2SB1283
(TP7J10)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1284 | Darlington Transistor(-10A PNP) |
| 2SB1285 | Darlington Transistor(-15A PNP) |
| 2SB1288 | Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) |
| 2SB1297 | Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) |
| 2SB1299 | Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1284-4000 | 功能描述:達林頓晶體管 VCEO=-100 IC=-10 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SB1285-7100 | 功能描述:達林頓晶體管 VCEO=-100 IC=-15 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SB1285-7112 | 功能描述:達林頓晶體管 VCEO=-100 IC=-15 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SB1287 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR TO-220FP -100V -2A 20W BCE |
| 2SB1290 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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