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參數(shù)資料
型號: 2SB1653
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Silicon PNP triple diffusion planar type(For power switching)
中文描述: 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: MT3, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大小: 162K
代理商: 2SB1653
1
Power Transistors
2SB1653
Silicon PNP triple diffusion planar type
For power switching
s Features
q
High collector to emitter VCEO
q
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)
q
Allowing automatic insertion with radial taping
s Absolute Maximum Ratings (T
C=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICP
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
–400
–7
–1
– 0.5
1.5
150
–55 to +150
Unit
V
A
W
C
s Electrical Characteristics (T
C=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to emitter voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
Symbol
ICBO
ICEO
IEBO
VCEO
hFE1
*
hFE2
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
Cob
ton
tstg
tf
Conditions
VCB = –400V, IE = 0
VCE = –100V, IB = 0
VEB = –5V, IC = 0
IC = –1mA, IB = 0
VCE = –5V, IC = –50mA
VCE = –5V, IC = –300mA
IC = –100mA, IB = –10mA
VCE = –100mA, IB = –10mA
VCB = –10V, IE = 0.2A, f = 1MHz
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz
IC = –100mA,
IB1 = –10mA, IB2 = 10mA,
VCC = –150V, RL = 1.5k
min
–400
80
10
typ
– 0.25
– 0.8
20
25
1.0
0.8
1.0
max
–1
280
– 0.5
–1.2
50
Unit
A
mA
V
MHz
pF
s
*h
FE1 Rank classification
Rank
P
Q
hFE1
80 to 160
130 to 280
Unit: mm
1:Emitter
2:Collector
3:Base
MT3 Type Package
7.5
±0.2
4.5
±0.2
90
°
0.8C
0.4
±0.1
0.8C
123
0.5
±0.1
0.7
±0.1
1.0
±0.1
0.85
±0.1
0.65
±0.1
0.7
±0.1
2.5
±0.1
10.8
±0.2
16.0
±1.0
3.8
±0.2
2.5
±0.2
2.5
±0.2
2.05
±0.2
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SB1669-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
2SB167900L 功能描述:TRANS PNP LF 10VCE0 1.0A S-MINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1679G0L 功能描述:TRANS PNP 10VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1682(Q) 功能描述:達林頓晶體管 PNP 160V 2A Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB1689T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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