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參數資料
| 型號： | 2SB1672F |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220FN, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | 2SB1672F |
2SB1672
Transistors
Power Transistor (
80V, 7A)
2SB1672
!Features
1) Low saturation voltage.
(Typ. VCE(sat) =
0.3V at IC / IB =4A / 0.4A)
2) Excellent DC current gain characteristics.
3) Pc = 30W (Tc = 25
°C).
4) Wide SOA (safe operating area).
5) Complements the 2SD2611.
!Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
80
5
7
2
30
150
55 +150
Unit
V
A(DC)
10
A(Pulse)
W
W(Tc
=25°C)
°C
Single pulse,
Pw
=100ms
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
*
!External dimensions
(Units : mm)
ROHM : TO-220FN
(2) Collector(Drain)
(3) Emitter(Source)
(1) Base(Gate)
0.75
0.8
2.54
(1)
(3)
(2)
(1)
2.54
(3)
(2)
5.0
8.0
14.0
15.0
12.0
1.3
1.2
10.0
3.2
φ
2.6
4.5
2.8
!Packaging specifications and hFE
Type
2SB1672
TO-220FN
EF
500
Package
hFE
Code
Basic ordering unit (pieces)
!Electrical characteristics
(Ta = 25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
80
5
100
12
200
10
1
320
V
A
V
MHz
pF
IC
= 50A
IC
= 1mA
IE
= 50A
VCB
= 80V
VEB
= 4V
IC/IB
= 4A/0.4A
VBE(sat)
1.5
V
IC/IB
= 4A/0.4A
VCE/IC
= 5V/1A
VCE
= 5V , IE = 0.5A , f = 5MHz
VCB
= 10V , IE = 0A , f = 1MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Measured using pulse current
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1679GR | 500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1682 | 8 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1705TL | 3000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1714T100 | 2000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB2284 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB167900L | 功能描述:TRANS PNP LF 10VCE0 1.0A S-MINI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1679G0L | 功能描述:TRANS PNP 10VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1682(Q) | 功能描述:達林頓晶體管 PNP 160V 2A Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SB1689T106 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1690KT146 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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