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參數資料
| 型號： | 2SC5597 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output) |
| 中文描述： | 22 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TOP-3L-A1, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | 2SC5597 |
Power Transistors
2SC5597
Silicon NPN triple diffusion mesa type
1
For horizontal deflection output
I
Features
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a
glass passivation layer
High-speed switching
Wide area of safe operation (ASO)
I
Absolute Maximum Ratings
T
C
=
25
°
C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CES
1 700
V
Collector to emitter voltage
1 700
V
V
CEO
V
EBO
I
CP
600
V
Emitter to base voltage
7
V
Peak collector current
30
A
Collector current
I
C
I
B
P
C
22
11
A
Base current
A
Collector power
dissipation
T
C
=
25
°
C
T
a
=
25
°
C
200
W
3.5
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
I
Electrical Characteristics
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
=
1 000 V, I
E
=
0
V
CB
=
1 700 V, I
E
=
0
V
EB
=
7 V, I
C
=
0
V
CE
=
5 V, I
C
=
11 A
I
C
=
11 A, I
B
=
2.75 A
I
C
=
11 A, I
B
=
2.75 A
V
CE
=
10 V, I
C
=
0.1 A, f
=
0.5 MHz
I
C
=
11 A, Resistance loaded
I
B1
=
2.75 A, I
B2
=
5.5 A
50
μ
A
1
mA
Emitter cutoff current
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
50
μ
A
Forward current transfer ratio
6
12
Collector to emitter saturation voltage
3
V
Base to emitter saturation voltage
V
BE(sat)
f
T
t
stg
1.5
V
Transition frequency
3
MHz
Storage time
3.0
μ
s
μ
s
Fall time
t
f
0.2
20.0
±
0.5
2.0
±
0.3
3.0
±
0.3
1.0
±
0.2
5.45
±
0.3
10.9
±
0.5
1
2
3
2
±
0
(
(
S
(
(
(
(
(1.5)
2
±
0
5.0
±
0.3
(3.0)
φ
3.3
±
0.2
(1.5)
2.7
±
0.3
0.6
±
0.2
(
(
1: Base
2: Collector
3: Emitter
TOP-3L Package
Internal Connection
B
C
E
Marking Symbol: C5597
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5607 | DC / DC Converter Applications |
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| 2SD5612 | HORIZONTAL DEFECTION OUTPUT FOR COLOR TV |
| 2SC5619 | 2SC5619 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC5606-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 |
| 2SC5606-FB-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5606-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 |
| 2SC5606-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5611 | 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |
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