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參數資料
| 型號： | 2SC5629 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 2SC5629 |
2SC5629
Silicon NPN Epitaxial
High Frequency Amplifier / Oscillator
ADE-208-980 (Z)
1st. Edition
Nov. 2000
Features
Super compact package;
(1.6
×
0.8
×
0.7mm)
High power gain and low noise figure;
(PG = 9 dB typ., NF = 1.1 dB typ., at f = 900MHz, V
CE
= 1 V)
Outline
1. Emitter
2. Base
3. Collector
SMPAK
1
2
3
Note: Marking is “XZ-”.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5631 | Silicon NPN Epitaxial UHF / VHF Wide Band Amplifier |
| 2SC5645 | UHF to S Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications |
| 2SC5646 | UHF to S Band Low-Noise Amplifier andOSC Applications |
| 2SC5648 | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
| 2SC5669 | 230V / 15A, AF100W Output Applications |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2SC5646A-TL-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 30MA 4V FT=10G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC565400L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5654G0L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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